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半导体工艺Q&A 2  

2012-06-27 21:01:08|  分类: IC design |  标签: |举报 |字号 订阅

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2ic上关于蚀刻的Q&A


       蚀刻对象依薄膜种类可分为: 8 X9 }, r$ _! T/ E3 z
  答:poly,oxide, metal 
  半导体中一般金属导线材质为何? : }: x4 S1 m) n$ p  i" k; L% H
  答:鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu) 
  何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)? 
  答:Oxide etch and nitride etch 
  半导体中一般介电质材质为何? ) \1 g5 q3 L" c6 u& q7 \
  答:氧化硅/氮化硅 5 D- y; s# l% n. w, Q1 x% V4 |
  何谓湿式蚀刻 ( d1 p, m4 Q5 Y  |* b
  答:利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除 
  何谓电浆 Plasma? 
  答:电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压. % W" E# @% o5 ?& X+ e' q/ ~) [  y
  何谓干式蚀刻? % T( f0 |$ q2 q8 c: l. x
  答:利用plasma将不要的薄膜去除   G: \) T, |; U# Y
  何谓Under-etching(蚀刻不足)?   |7 i7 S4 Q# _' Y: w
  答:系指被蚀刻材料,在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 6 R; |# a1 X7 p! @, g/ D, A  T
  何谓Over-etching(过蚀刻 ) 
  答:蚀刻过多造成底层被破坏 
  何谓Etch rate(蚀刻速率) 5 }) y0 @* V" W! q
  答:单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度 
  何谓Seasoning(陈化处理) * z, S0 R$ U3 A. o4 U/ @7 ?
  答:是在蚀刻室的清净或更换零件后,为要稳定制程条件,使用仿真(dummy) 晶圆进行数次的蚀刻循环。 % S. w' u+ t1 a
  Asher的主要用途: 
  答:光阻去除 
  Wet bench dryer 功用为何? 6 A+ |0 m7 z3 x% J# H. N
  答:将晶圆表面的水份去除 
  列举目前Wet bench dry方法: 
  答:(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry : }- @0 l7 f5 d
  何谓 Spin Dryer 
  答:利用离心力将晶圆表面的水份去除 5 O# Z  q4 Z& V2 H! g
  何谓 Maragoni Dryer 
  答:利用表面张力将晶圆表面的水份去除 
  何谓 IPA Vapor Dryer 
  答:利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除 . J7 ^" M( v- z. L' a% P
  测Particle时,使用何种测量仪器? 
  答:Tencor Surfscan 
  测蚀刻速率时,使用何者量测仪器? 
  答:膜厚计,测量膜厚差值 
  何谓 AEI - N/ M' g! N  q+ z! ^$ u
  答:After Etching Inspection 蚀刻后的检查 0 L9 o# i+ k; I2 r& l
  AEI目检Wafer须检查哪些项目: 1 |9 V5 k- |7 L- a
  答:(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确 3 v6 s+ f- Q* c0 P
  金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理? 
  答:清机防止金属污染问题 
  金属蚀刻机台asher的功用为何? 
  答:去光阻及防止腐蚀   i( o6 s- m3 G( b
  金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗? 
  答:因为金属线会溶于硫酸中 % g2 Y( W  {$ `. o
  "Hot Plate"机台是什幺用途? 7 S. o- Y6 q, ?+ c
  答:烘烤 
  Hot Plate 烘烤温度为何? 
  答:90~120 度C 0 {% L6 n8 f( U6 O- O
  何种气体为Poly ETCH主要使用气体? 
  答:Cl2, HBr, HCl . Y! K/ z, O) h
  用于Al 金属蚀刻的主要气体为 1 K4 K; k" H+ X
  答:Cl2, BCl3 $ T: n3 ]! A5 w6 f
  用于W金属蚀刻的主要气体为 
  答:SF6 
  何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体? # ~$ e" U0 C# F2 o- e4 M
  答:C4F8, C5F8, C4F6 + g1 n% C0 p4 @8 \0 S2 t) [
  硫酸槽的化学成份为: 
  答:H2SO4/H2O2 
  AMP槽的化学成份为: " ~3 e5 L4 j1 F1 r. K! F. ~
  答:NH4OH/H2O2/H2O 0 K3 |) z) y4 B) S/ C
  UV curing 是什幺用途? 
  答:利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度 & r# m/ |9 e, W8 x; i7 E
  "UV curing"用于何种层次? # R, g0 |, L$ K# N5 t8 M' {$ v
  答:金属层 9 s8 X8 N. `8 a2 S7 Z
  何谓EMO? 
  答:机台紧急开关 - y3 u% _7 I  ^3 j7 A: e* `
  EMO作用为何? 
  答:当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下 
  湿式蚀刻门上贴有那些警示标示? ) k, I6 ?% W( w! J
  答:(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门 (3) 化学药剂危险. 严禁打开此门 # _9 a4 l3 e7 U
  遇化学溶液泄漏时应如何处置? 
  答:严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路. 
  遇 IPA 槽着火时应如何处置?? 
  答:立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组 
  BOE槽之主成份为何? 
  答:HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵). 5 X4 |3 g( h8 _, |8 q# a
  BOE为那三个英文字缩写 ? 2 U) C+ W! `: x3 _( K8 P5 `' B
  答:Buffered Oxide Etcher 。 8 Q+ ~1 \4 t9 v5 R% ~; w% m9 D. @
  有毒气体之阀柜(VMB)功用为何? ) ]/ S  j, K  C. ^4 d
  答:当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出 
  电浆的频率一般13.56 MHz,为何不用其它频率? ( M( Y" D1 y+ u* A, W
  答:为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等 
  何谓ESC(electrical static chuck) $ `8 |1 s. m1 t9 |( ~( ?
  答:利用静电吸附的原理, 将 Wafer 固定在极板 (Substrate) 上 
  Asher主要气体为 6 g( D+ m  y  _2 F+ J3 M
  答:O2 
  Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何? 
  答:温度 
  简述TURBO PUMP 原理 
  答:利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR - T( s: Y2 h) |
  热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何? 
  答:将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地 
  简述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理? 
  答:藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化 % c& W- v1 x/ Y% j  |+ h
  ORIENTER 之用途为何?  7 j1 `, M, o% v& B
  答:搜寻notch边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题 
  简述EPD之功用 % e* D/ k0 K! ?( X3 y4 ]: ]# G
  答:侦测蚀刻终点;End point detector利用波长侦测蚀刻终点 - i, o" f1 _" k6 q# F1 \, w* l: x
  何谓MFC? 
  答:mass flow controler气体流量控制器;用于控制 反应气体的流量 $ Q8 _* o5 _8 A2 \0 R3 [2 T
  GDP 为何? 0 W5 t" a7 ^. p( _5 {
  答:气体分配盘(gas distribution plate) / ]5 w7 C8 z- m+ ~$ J1 C8 o
  GDP 有何作用? 3 \+ ~3 S$ b$ D0 N8 ^
  答:均匀地将气体分布于芯片上方 
  何谓 isotropic etch? 
  答:等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等 
  何谓 anisotropic etch? 
  答:非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少 9 h6 W$ k9 S$ a" s. m' z
  何谓 etch 选择比? 4 {# n9 V9 ^2 j: E5 v
  答:不同材质之蚀刻率比值 + Z: K0 j8 O8 o2 f
  何谓AEI CD? , R8 m3 b# Z: P
  答:蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension) 
  何谓CD bias? ) a' `) `" Y2 w+ ?% p
  答:蚀刻CD减蚀刻前黄光CD 
  简述何谓田口式实验计划法? 
  答:利用混合变因安排辅以统计归纳分析 
  何谓反射功率? 
  答:蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射掉,此反射之量,称为反射功率 1 a( V# B+ p# S' c1 y: w
  Load Lock 之功能为何? ! d) D0 O, G- T3 E2 q
  答:Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响. 
  厂务供气系统中何谓 Bulk Gas ? + b( H  L  P& l, W
  答:Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体, 如 N2, O2, Ar 等. 5 i5 n; f" h) o% a2 n* _* s
  厂务供气系统中何谓Inert Gas? 2 L& w# w1 \7 m& I7 ~  q) [
  答:Inert Gas 为一些特殊无强烈毒性的气体, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等. 
  厂务供气系统中何谓Toxic Gas ? + l! P- v$ b: _+ j
  答:Toxic Gas 为具有强烈危害人体的毒性气体, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等. 
  机台维修时,异常告示排及机台控制权应如何处理? 6 N1 b8 O% Q3 M- o$ i9 z
  答:将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作 
  冷却器的冷却液为何功用 ? / y. M6 X: I/ C% ]# Q7 k3 z3 M
  答:传导热 & ^0 V! D1 }- k. Y1 P
  Etch之废气有经何种方式处理 ? 
  答:利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽 
  何谓RPM? 
  答:即Remote Power Module,系统总电源箱. 3 F. B/ e& h+ L( T$ k4 ]# o
  火灾异常处理程序 
  答:(1) 立即警告周围人员. (2) 尝试 3 秒钟灭火. (3) 按下EMO停止机台. (4) 关闭 VMB Valve 并通知厂务. (5) 撤离. 
  一氧化碳(CO)侦测器警报异常处理程序 
  答:(1) 警告周围人员. (2) 按 Pause 键,暂止 Run 货. (3) 立即关闭 VMB 阀,并通知厂务. (4) 进行测漏. 
  高压电击异常处理程序 
  答:(1) 确认安全无虑下,按 EMO键(2) 确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3) 处理受伤人员 
  T/C (传送Transfer Chamber) 之功能为何 ? , q  d4 n& u( G
  答:提供一个真空环境, 以利机器手臂在反应腔与晶舟间传送 Wafer,节省时间. 
  机台PM时需佩带面具否 , o% e. n1 x: |$ Z, w: s: p
  答:是,防毒面具 3 u) q0 @7 u, _6 e8 b/ L
  机台停滞时间过久run货前需做何动作 . f9 w  G! d) b# A  x5 l+ G4 c
  答:Seasoning(陈化处理) 6 w! o  G$ m2 {5 A+ g
  何谓日常测机 ; v6 i9 a( C/ b+ g" G
  答:机台日常检点项目, 以确认机台状况正常 
  何谓WAC (Waferless Auto Clean) & `/ p, ?2 }( s5 h
  答:无wafer自动干蚀刻清机 
  何谓Dry Clean 5 |" ?( e1 N3 t# t  Q; ]: R2 b
  答:干蚀刻清机 
  日常测机量测etch rate之目的何在? , C% t) l. a0 R% A
  答:因为要蚀刻到多少厚度的film,其中一个重要参数就是蚀刻率 ( ^1 l7 t% t# P1 Y+ f; y
  操作酸碱溶液时,应如何做好安全措施? 
  答:(1) 穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜(2) 操作区备有清水与水管以备不时之需(3) 操作区备有吸酸棉及隔离带 , r( T- n2 A& A. |) b' T/ O: |5 b$ n
  如何让chamber达到设定的温度? 
  答:使用heater 和 chiller ' ?0 {8 D  Y* Q, c
  Chiller之功能为何? 1 ^6 m0 U# u8 }1 N, y8 N4 q; v
  答:用以帮助稳定chamber温度 
  如何在chamber建立真空? 
  答:(1) 首先确立chamber parts组装完整(2) 以dry pump作第一阶段的真空建立(3) 当圧力到达100mTD寺再以turbo pump 抽真空至1mT以下 
  真空计的功能为何? 3 T/ }' N5 e! e0 A$ W
  答:侦测chamber的压力,确保wafer在一定的压力下 process % D% G8 h: y; Z6 z- ^% V: i2 J4 R: j
  Transfer module 之robot 功用为何? 
  答:将wafer 传进chamber与传出chamber之用 7 }" z& {* m0 A; U
  何谓MTBC? (mean time between clean) 
  答:上一次wet clean 到这次wet clean 所经过的时间 1 q3 }) i- N. |1 \* R* V
  RF Generator 是否需要定期检验? 6 ]: h5 ~4 A+ W1 J( k
  答:是需要定期校验;若未校正功率有可能会变化;如此将影响电浆的组成 - p2 `& P2 ?8 u& R0 I" D6 _
  为何需要对etch chamber温度做监控? 
  答:因为温度会影响制程条件;如etching rate/均匀度 - @* Z+ A& i5 ]/ i1 v$ I5 J. L
  为何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的气压)? - a. P/ {9 W5 K5 s
  答:因为气压若太大会造成pump 负荷过大;造成pump 跳掉,影响chamber的压力,直接影响到run货品质 7 u3 |5 f. N& i5 F7 J7 D
  为何要做漏率测试? (Leak rate ) ! N8 [9 q7 R0 X  h
  答: (1) 在PM后PUMP Down 1~2小时后;为确保chamber Run 货时,无大气进入chamble 影响chamber GAS 成份(2) 在日常测试时,为确保chamber 内来自大气的泄漏源,故需测漏 
  机台发生Alarm时应如何处理? ! x+ X: J$ {' A% ~& h
  答:(1) 若为火警,立即圧下EMO(紧急按钮),并灭火且通知相关人员与主管(2) 若是一般异常,请先检查alarm 讯息再判定异常原因,进而解决问题,若未能处理应立即通知主要负责人 
  蚀刻机台废气排放分为那几类? $ h% i& }: `8 f9 @; N' ~
  答:一般无毒性废气/有毒酸性废气排放 + a$ Q# Y' y+ P6 ]: |' s% [3 D4 a0 Y
  蚀刻机台使用的电源为多少伏特(v)? 2 P/ ^, T: Q/ {) D
  答:208V 三相 
  干式蚀刻机台分为那几个部份? ' g9 X2 Y- n/ {8 e, N! t
  答:(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真空系统 (5) GAS system (6) RF system

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