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半导体工艺Q&A 1  

2012-05-28 12:54:41|  分类: Reading notes |  标签: |举报 |字号 订阅

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1.:为什么先做N阱再做P阱?
A:N阱是磷注入,P阱是硼注入。硼扩散的速度比磷快。如果先做P阱,那么在N阱推进(drive-in)和退火(annealing)的时候P阱中的硼扩散可能失控。从热预算的角度说也是先做N阱为好。

2:刻蚀中的负载和微负载效应
A:刻蚀速率在小窗口图形中较慢,在具有高深宽比的小尺寸图形上刻蚀甚至会停止。例如,具有高深宽比硅槽的刻蚀速率要比具有低深宽比硅槽的刻蚀速率慢。这一效应被称为深宽比相关刻蚀,也被称为微负载效应。

负载效应则是指,由于在等离子体刻蚀反应过程中会消耗大部分的气相刻蚀基,那么在刻蚀硅片表面大面积区域的时候,会因为耗尽刻蚀剂浓度使刻蚀速率慢下来,如果刻蚀面积小的区域,则刻蚀速率会快些。

也就是一个是深宽比相关,一个是面积相关。
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