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Analog Design Essentials, Sansen 018 tran  

2008-11-17 20:07:13|  分类: IC design |  标签: |举报 |字号 订阅

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首先我们要更多地了解MOS管:MOS管有哪些主要参数?哪些最简单的公式即可以描述晶体管模型又适合手工计算?

 Analog Design Essentials, Sansen 018 tran - dreamtower - dreamtower的博客

上图是MOS的截面图和版图。左边是没有电压偏置的MOS。右边的MOS则在栅和漏上有偏压。MOS的尺寸主要由宽度和长度决定。通常说的宽和长都是掩膜板上画的尺寸,实际尺寸因为扩散和其它技术原因会小一点。上图在掩膜板上的的W/L是5。

栅上的正偏压在栅下吸引的负电荷形成反型层,连接了漏和源的n型注入,在漏和源直接形成了一个通道,就如漏和源之间的一个电阻。

在漏上加正偏压,会产生从漏到源的电流(或说是从源流向漏的电子)。此电流称为IDS。结果,沟道不在处于平衡态。源的导通要优于漏。漏的沟道甚至有可能消失。然而,由于电子在沟道中获得足够的速度,它们总能穿过沟道到达漏。

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